Çinli flash bellek üreticisi çığır açtığını iddia ediyor – QLC NAND, TLC NAND’ın dayanıklılığıyla eşleşiyor

Çinli flash bellek üreticisi çığır açtığını iddia ediyor – QLC NAND, TLC NAND’ın dayanıklılığıyla eşleşiyor

Tipik olarak, bir NAND flaş hücresi ne kadar fazla şarj tutabilirse, programlama/silme döngüleri açısından o kadar az dayanıklı olur. Ancak 3D NAND materyalindeki yenilikler, NAND denetleyicilerindeki ilerlemeler ve hata düzeltme algoritmaları, bir NAND flaş hücresinin destekleyebileceği P/E döngüsü sayısını önemli ölçüde artırabilir. Yangtze Bellek Teknolojileri A.Ş.’nin başına gelen de buydu. X3-6070 3D QLC cihazı 3D TLC IC’lerin dayanıklılığına sahip olan, Ana Sayfa raporlar.

YMTC’nin X3-6070 3D QLC NAND cihazı, şirketin dördüncü nesil ürünleri arasında yer alıyor ve 128 aktif katmanın yanı sıra 2400 MT/s arayüze sahip Xtacking 3.0 mimarisine sahip. 128 aktif katman günümüz standartlarına göre bir rekor gibi görünmese de, bu 3D QLC NAND cihazının en önemli kısımlarından biri, üreticinin bu IC için oldukça önemli bir 4.000 program/silme döngüsü dayanıklılığı iddia etmesidir. Bu cihazların desteklediği hızlı arayüz, onları en iyi SSD’ler PCIe 4.0 veya PCIe 5.0 arayüzüne sahiptir.

Yorum gönder