Kioxia, 2031 yılına kadar 1000 katmanlı 3D NAND’ı seri üretmeyi hedefliyor; bu sayı mevcut katman sayısını dört katına çıkarıyor

Kioxia, 2031 yılına kadar 1000 katmanlı 3D NAND’ı seri üretmeyi hedefliyor; bu sayı mevcut katman sayısını dört katına çıkarıyor

Şirketin baş teknoloji sorumlusu (CTO) Hidefumi Miyajima’ya göre Kioxia, 2031 yılına kadar 1.000’den fazla katmana sahip 3D NAND belleği seri üretmeyi planlıyor Xtech Nikkei. Miyajima, Tokyo City Üniversitesi’ndeki 71. Uygulamalı Fizik Topluluğu Bahar Toplantısı’ndaki dersi sırasında, bir 3D NAND cihazında 1000’den fazla katman elde etmenin teknik zorluklarını ve çözümlerini tartıştı.

Bir 3D NAND cihazındaki aktif katmanların sayısını artırmak, günümüzde flash belleğin kayıt yoğunluğunu artırmanın en iyi yoludur; bu nedenle, tüm 3D NAND üreticileri bunu her 1,5 ila 2 yılda bir yeni işlem düğümleriyle yapmaya çalışmaktadır. 3D NAND üreticilerinin katman sayısını artırması ve NAND hücrelerini hem yatay hem de dikey olarak küçültmesi gerektiğinden, her yeni düğüm çeşitli zorlukları beraberinde getiriyor. Bu süreç, üreticilerin her yeni düğümde yeni malzemeleri benimsemesini gerektiriyor ki bu da büyük bir araştırma ve geliştirme zorluğudur.

Yorum gönder